芯片简介
SS8105 是一款内置 MOSFET、高边采样、共阴极、高效率、恒流降压型同步半桥 DC/DC 转换器驱动芯片,内置 15mo 高性能 MOSFET。
SS8105 采用迟滞式恒定关断时间的工作模式,无需外部补偿设计。最大简化外部器件,其输出电流能力既可以通过不同阻值的外接电阻(Rcs)调整,也可以通过调节模拟调光控制引脚 ADIM 上的电压来实现。
针对低灰度调光特性进行系统运算优化,实现在高刷新率调光状态下低灰调光无抖动及闪烁,使光源有更好的线性度调光特性。并可实现低纹波设计应用。
数字 PWM 及线性模拟调光双重控制并存,可执行独立调光电流控制,可实现 0.01%步进调光;模拟调光(线性特征)对输入端峰值电流进行调控,能达到 0.1%步进调整峰值电流,有效抑制电源开关造成的峰值浪涌电流。
通过 DIM 管脚输入 PWM 信号来灵活实现对激光或LED光源的调光控制,PWM 在并联 MOSFET 调光状态下,分辨率可轻松超过 10K:1 或者更高;在普通调光模式下,调光分辨率也能实现高刷新率设计
SS8105 提供一系列保护功能,包括欠压锁定保护(UVEN)、过热保护(OTP)、负载开路、输出短路保护等,由于是高边采样设计,当采样电阻失效或者短路时,IC能有效保护负载,避免光源由于电路失效而导致损坏。
SS8105为QFN20 封装,5*5mm 尺寸,更适合紧凑型产品设计应用
芯片特点
输入电压范围:8V~40V
最大持续输出驱动电流 8A
PWM 调光特征
- 并联调光模式 200K:1或更高
- 标准调光模式 100K:1
- 模拟调光比 250:1
工作频率可通过 ToF 调整
良好的调光线性度
低输出纹波
封装:QFN20,5*5mm
保护特征
- VCC 欠压锁定
- OCP 过流保护
- OTP 过热保护
- OSP 输出短路保护
- OVP 开路保护
-采样电阻短路保护